技术编号:16126456
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子材料技术领域,具体涉及一种在绝缘衬底上制备石墨烯枝晶的方法。背景技术石墨烯是由碳原子以sp2杂化紧密排列而成的蜂窝状晶体结构,是只有单原子层厚度的二维材料。2004年由英国的两位科学家Geim和Novoselov通过机械剥离高定向热解石墨(HOPG)而成。石墨烯也是构成其他材料的基本单元,它可以包裹成零维的富勒烯、卷曲成一维的碳纳米管和堆叠成三维的石墨。石墨烯独特的结构决定了其独特的性质。理想的石墨烯材料在室温下电子迁移率可以达到200000cm2/(V·s);高的比表面积;在室...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。