技术编号：16146083
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。这里描述的一个或更多个实施方式涉及制造相移掩模的方法和制造半导体器件的方法。背景技术增加半导体器件的集成度持续成为系统设计者的目标。根据一些方法，集成度可以通过减小单位单元的面积特别是单位单元中的电容器所占据的面积而增加。然而，如果单位单元或电容器的面积减小得太多，则会无法实现诸如DRAM的半导体器件所需的电容。此外，这样的器件中的下电极的大高宽比会导致下电极在电介质膜形成之前倒塌或断裂。发明内容根据一个或更多个实施方式，一种制造相移掩模的方法包括：准备透射衬底，第一掩模区域和围绕第一掩模区域的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。