技术编号:16148387
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构及其操作方法,且特别涉及一种具备静电放电(ElectroStatic Discharge,ESD)保护能力的半导体结构及其操作方法。背景技术静电放电(ESD)是电荷在非导体或未接地的导体上累积后,经由放电路径,在短时间内快速移动放电的现象。静电放电会造成集成电路中的电路之损害。例如,人体、封装集成电路的机器或测试集成电路的仪器都是常见的带电体,当上述带电体与芯片接触时,即有可能向芯片放电。静电放电的瞬间功率可能造成芯片中的集成电路损坏或失效。因为和现有的CMOS工艺兼容,...
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