技术编号:16148486
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。将于2017年5月26日提交的,包括说明书、附图、以及摘要的,日本专利申请No.2017-104177的公开内容在此通过引用并入本文。技术领域本发明涉及一种制造半导体器件的方法以及半导体器件。具体地说,本发明可优选地应用于使用氮化物半导体的半导体器件。背景技术与Si和GaAs相比,GaN基氮化物半导体由于其宽带隙和高电子迁移率而可望应用于高耐压、高输出、以及高频目的的晶体管,并且近年来得到了积极的开发。在这样的晶体管当中,具有常关特性的晶体管特别有用,并且因而研究了使得晶体管具有常关特性的晶体管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。