技术编号:16148500
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管和隧道结层的制造方法。背景技术在含有p型杂质的p型半导体层和含有n型杂质的n型半导体层之间,夹持带隙小于p型半导体层和n型半导体层的活性层而成的发光二极管被广泛使用。专利文献1记载了一种发光二极管,上述发光二极管将第1放射生成活性层和第2放射生成活性层垂直地相互重叠配置,并且在第1放射生成活性层和第2放射生成活性层之间形成隧道结层而成,上述第1放射生成活性层含有p型半导体层、活性层(放射生成层)和n型半导体层且放射不连贯的光,上述第2放射生成活性层含有p型半导体层、活性层(放...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。