技术编号:16177583
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体集成电路技术领域,特别涉及一种存储器的写操作控制电路及存储器。背景技术列地址写入延迟(Column Address Strobe Write Latency,简称CWL)信号控制着从收到写命令到执行写命令的间隔时间,即延迟时间。列地址写入延迟时间,是列地址写入延迟信号控制着从收到写命令到执行写命令的延迟时间的长度,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。双倍速率同步动态随机存储器通常利用寄存器设置的列地址写入延迟信号CWL<2:0>直...
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