技术编号：16190444
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种传片监测系统及传片监测方法、半导体加工设备。背景技术物理气相沉积或溅射(Sputtering)沉积技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺，主要用于铝、铜等金属薄膜的沉积，以构成金属接触、金属互连线等。在物理气相沉积工艺中(300mm及以上晶片)，需要4个工艺步骤才能完成整个物理气相沉积工艺，四个工艺按照顺序分别为：1)去气工艺(Degas)；2)预清洗工艺(PreClean)；3)铜阻挡层工艺(Ta/Tan...
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