技术编号:16190495
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及半导体技术,且特别涉及半导体装置的制造方法。背景技术由于铜所提供的高速度,在半导体装置中偏好使用铜作为导电内连接材料。铜难以被图案化,因此工业已调整镶嵌(damascene)加工技术以形成铜内连接接点。典型的镶嵌工艺可包含在介电层中形成开口,在介电层上方以及开口中沉积铜,接着实施平坦化工艺以移除介电层上方多余的铜,将铜镶嵌于开口中。选择性地,蚀刻停止层形成于铜和介电层的顶表面上。之后,上方介电层和光致抗蚀剂层依序地形成于蚀刻停止层上。接着,使用光刻技术和蚀刻技术在上方介电层和蚀刻...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。