技术编号:16190737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置。背景技术公知有在半导体装置中,在电源端子(VDD)与接地端子(VSS)之间设置静电放电(ESD;Electro Static Discharge)的保护电路。例如,能够举出在电源端子与接地端子之间设置串联连接的2个N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor:金属-氧化物半导体场效应晶体管),作为ESD保护电路的半导体装置。在该半导体装置中,2个N沟道MOSFET被P型的杂质区域(保护环)包围(例如,...
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