技术编号:16190885
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及红外探测器技术领域,特别是涉及一种背光照混成芯片增透膜生长方法及装置。背景技术红外探测器组件尤其是碲镉汞红外焦平面探测器组件促进了红外技术应用的发展,使红外武器装备的性能大幅提高,已经应用于侦察、监视、精确制导、搜索跟踪和光电对抗等军事系统,成为先进光电武器系统的重要组成部分,同时在驾驶辅助、消防、安保、安全生产等民用领域也有广泛应用。碲镉汞红外焦平面混成芯片是红外探测器组件的核心部件用于红外辐射信号转换,由红外感光阵列1与读出电路3通过铟柱2以采用倒装互连的方式结合在一起,为提高开关...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。