技术编号:16191083
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种金属氧化物半导体场效应管及其制造方法。背景技术第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)具有不同于传统硅半导体材料的诸多特点,其能带间隙为硅的2.8倍,达到3.09电子伏特。碳化硅的绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/CM,因此在高压功率器件领域,碳化硅器件可以使用相对于传统硅材料更薄的外延层,来到达传统硅器件相同的耐压水平,同时拥有更低的导通电阻。碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小,因此可靠性更佳。碳化硅器件具有很好的反向恢复特性,反向恢复...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。