技术编号:16191117
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高压金属氧化物(Metal Oxide Semiconductor,MOS)半导体元件,特别是指一种具有多个源区的高压金属氧化物半导体元件。本发明还涉及高压金属氧化物半导体元件的制造方法。背景技术图1A与1B分别显示一种现有技术的高压金属氧化物半导体元件(N型高压MOS元件1)的俯视图与对应的剖面图。如图1A与1B所示,高压MOS元件1形成于半导体基板11,其中该半导体基板11于纵向上,具有相对的上表面11’与下表面11”。高压MOS元件1包含:N型阱区12、P型本体区16、栅极1...
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