技术编号:16191234
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池技术领域,更具体地说,涉及一种多结太阳能电池及其制作方法。背景技术III-V族化合物半导体太阳能电池由于在目前材料体系中转换效率最高,并且具有耐高温性能好和抗辐照能力强等优点,因此,被公认为是新一代高性能长寿命空间主能源。其中,GaInP/InGaAs/Ge结构的三结III-V族化合物半导体太阳能电池已在航天领域得到了广泛应用。但是,由于三结太阳能电池顶部的子电池GaInP和中部的子电池InGaAs的电流密度远小于底部的子电池Ge的电流密度,因此,三结太阳能电池不能充分利用太...
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