技术编号:16191303
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LED芯片制造技术领域,特别是涉及一深紫外LED芯片的制造方法。背景技术深紫外LED芯片是发光波长在200-350nm范围内的LED芯片,进入蓝光时代后的又一项重大突破。深紫外光被广泛应用于净水、杀菌消毒、甲醛处理、生化检测等领域,而过去该波段光源主要由汞灯提供,而LED灯在环保、节能、轻便等方面均远远优于传统汞灯,具有极大的市场和全新的应用场景。近年来国外已有少量深紫外LED芯片出售,其售价是普通蓝光LED芯片的1000倍以上,国内该领域仍处于研发阶段,尚无产品出售。由于GaN层对深...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。