技术编号：16196954
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳纳米管手性的技术领域，特别涉及一种碳纳米管的制备方法。背景技术碳纳米管由于具有高的杨氏模量和抗拉强度、高的热导率等优良的特性而受到广泛的关注。传统的化学气相沉积方法制备出的单壁碳纳米管中，金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管所占比例约为1：2。为了能够得到纯度更高的半导体性碳纳米管，在过去的二十年中，经过不断研究碳纳米管的热力学和动力学理论，人们已经能够通过CVD法生长出纯度达到97％的半导体性碳纳米管。然而，想要直接生长出纯度更高的半导体性碳纳米管仍无法实现。同时，现有技术中碳纳米管在...
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