技术编号：16197457
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体金属氧化物微纳米材料领域，具体涉及一种NiO/In2O3片组装而成的类球形多级结构的合成方法。背景技术半导体金属氧化物微纳米材料能够对某些气体产生特异性和选择性反应，被认为是一类具有发展前景的气敏材料。半导体金属氧化物气敏材料具有灵敏度高、价格低廉和使用方便等优点，适合于对各种有毒、有害气体进行精确检测与控制。NiO/In2O3复合材料作为一种典形的气敏材料在汽车尾气、环境污染等方面具有重要作用。由于气体灵敏度与响应恢复时间等参数与半导体材料的微观形貌和晶形结构有着密切联系，近年...
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