技术编号：16210128
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及合金靶材的制备方法，具体涉及一种在N型化合物半导体材料表面形成欧姆接触的铟金合金靶材及其制备方法。背景技术优良的金属半导体欧姆接触，对于用化合物半导体制造光电子器件，微波振荡器及微波电路的参数和稳定度非常重要，对于砷化镓（GaAs）材料，一般常用金锗（AuGe）合金形成良好的欧姆接触，其制备过程是将AuGe共融体蒸镀在GaAs上，并使用快速退火技术进行合金化处理。在合金化过程中，Ge（锗）快速扩散对GaAs进行重N型掺杂，在金属与半导体之间形成电子隧道穿通而不产生势垒。目前，在最优的工...
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