技术编号:16210155
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体领域,特别涉及一种含硅组件的制造方法。背景技术含硅组件如:氮化硅、碳化硅等具备许多优异的性能,如高熔点、高硬度、强稳定性、低膨胀系数、良导热性、强抗热震性及优良的光学性能等,其中,氮化硅及其薄膜能广泛应用于光电子、微电子、机械加工、化学工业、太阳能电池、航空航天及集成电路等行业。在光学性能方面,氮化硅具有很宽透射光谱,和硅相比,可见光甚至紫外线光氮化硅均可透射,在红外光的传导中,氮化硅也可以做到超低损耗,硅的传导损耗为氮化硅的10倍以上。和二氧化硅相比,氮化硅在中远红外光谱具...
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