技术编号:16210639
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体级单晶硅制造领域,特别是涉及一种单晶提拉炉热场结构。背景技术在利用直拉法制备大尺寸硅单晶的过程中,由于多晶硅投料量大,为了满足热场温度梯度的要求以及保障长晶过程的温度波动小,使用如图1所示的单晶提拉炉热场结构:采用位于坩埚12侧部的第一加热器13和位于坩埚12底部的第二加热器14来实现对温度场的精确控制。然而,在长期长晶过程和模拟仿真工作中,逐渐发现由于固液界面中心散热慢而边缘散热快,导致固液界面的形状凸向晶体,即固液界面中间位置高而周边位置低,这样就直接导致制备出来的硅片中心和...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。