技术编号:16238344
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造领域,特别是涉及一种衬底及其制作方法。背景技术集成电路几乎都是利用直拉硅片制造的,直拉硅片中通常含有大量的氧沉淀,氧沉淀通常被用来做内吸杂,这些氧沉淀可以吸附一些金属元素,如Fe、Cu、Ag等。适量的氧气沉淀可以增强物理力学特性,增强直拉硅片的机械强度;通过适当的热处理过程氧杂质会在硅片体内沉淀并形成二次缺陷(BMD),而在硅片近表面区域由于氧的外扩散形成无缺陷区域,通常称为洁净区(Denuded Zone)101,具有氧沉淀的区域称为氧沉淀区102,如图1所示,硅片近表面的...
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