技术编号：16238469
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体管领域，具体地，涉及一种镓锡氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法和应用。背景技术目前，平板显示技术发展十分迅速。薄膜晶体管作为平板显示器有源矩阵的驱动，具有成本低，性能高等优点，广泛应用于显示技术领域。在薄膜晶体管技术中，金属氧化物薄膜晶体管已经吸引了国内外众多面板制造商的关注，是近几年来被广泛研究的一种新型薄膜晶体管技术。与传统的非晶硅薄膜晶体管相比，金属氧化物薄膜晶体管具有载流子迁移率高、亚阈值摆幅好等性能优势，更适合应用在高分辨率、大尺寸显示面板中。同时，传统的薄膜晶体管是利用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。