技术编号：16238919
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件的制造方法，尤其涉及一种存储元件的制造方法。背景技术近年来，由于闪速存储器兼具高密度、低成本、可重复写入及电可抹除性等优点，已然成为非易失性存储器元件的主流，并被广泛的应用于各式可携式电子产品中，例如笔记本电脑、数码随身听、数码相机、手机、游戏主机等相关可携式电子产品。随着存储器工艺的微缩，一般闪速存储器的工艺会发生以下问题：由于浮置栅极的侧壁过于粗糙(rough)，其使得栅间介电层与控制栅极填入浮置栅极之间的空间时，会导致孔洞(void)或缝隙(seam)形成在控制栅极...
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