技术编号:16239204
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种增强型高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)及其制备方法。背景技术随着高效完备的功率转换电路以及半导体材料与技术的发展,具有低功耗和高速特性的功率器件受到了广泛的关注,宽禁带化合物半导体材料和器件成为半导体电子器件领域的主力军,以GaN(氮化镓)为代表的III-V族宽禁带化合物半导体材料,具有高击穿电场、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性,因而广泛应用于大功率、高速和大电压的电力电子器件的制备。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。