技术编号:16239210
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件朝着更高的元件密度,以及更高的集成度的方向发展,平面晶体管的栅极尺寸也越来越短,传统的平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱,产生短沟道效应,产生漏电流,最终影响半导体器件的电学性能。为了克服晶体管的短沟道效应,抑制漏电流,现有技术提出了鳍式晶体管(Fin FET),鳍式晶体管是一种常见的多栅器件,鳍式晶体管的结构包括:位于半导体衬底表面的鳍部和介质层,所述介质层覆盖部分所述鳍部的侧壁,...
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