技术编号:16239453
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种发光元件,特别关于一种具有高掺杂浓度部与低掺杂浓度部的发光二极管。背景技术发光二极管(light emitting diode,LED)作为高效率的发光元件,被广泛的使用在各种领域。目前现有技术的发光二极管制造方法是通过磊晶的方式,在基板上依序形成N型半导体层、发光层与P型半导体层,借此得到发光二极管的磊晶结构。在发光二极管的磊晶结构中,由于基板、N型半导体层、发光层与P型半导体层的组成材料各不相同,各个材料之间的晶格不匹配(lattice mismatch)使得各个接面累积了大量...
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