技术编号:16239565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种用于形成电阻的半导体结构和电阻的形成方法。背景技术集成电路根据不同的终端应用,需要的器件类型不同。但是,无论哪种应用都离不开电阻器件。电阻器件的尺寸精度是制作和使用电阻器件的重要考虑因素,因为,电阻器件的尺寸精度直接影响电阻阻值的精度。公开号为CN107331695A的中国发明专利公开了一种N阱电阻及其生成方法。然而,现有技术在对电阻的尺寸进行考虑和控制时,考虑的因素不够准确,采用的方案并没有能很好地控制相应的电阻尺寸精度。发明内容本发明解决的问题是提供一种...
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