技术编号:16251424
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料技术领域,涉及一种制备Ag负载ZnO纳米棒阵列的方法。背景技术半导体光催化剂利用太阳光进行能量转换或环境净化,在污染物降解、光解水制氢、太阳能电池等领域应用前景广阔。由于制备工艺简单、成本低、无毒、光化学稳定性好、氧化还原能力强等优点,使ZnO成为最有可能替代TiO2的半导体光催化剂。但ZnO光催化剂难以重复利用、光生载流子分离效率低导致其光催化活性不高的问题严重阻碍了ZnO光催化剂的工业化应用。通过制备ZnO纳米棒阵列可解决ZnO光催化剂难以重复利用的问题。为了提高ZnO光催...
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