技术编号:16261522
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域,特别是涉及一种沟槽型MOS器件结构及其制造方法。背景技术沟槽型MOS器件(Trench MOS)晶体管是一种新型垂直结构器件,是在VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)的基础上发展起来的,两者均属于高原胞密度器件。但沟槽型MOS器件与VDMOS器件相比有许多性能优势:如更低的导通电阻、低栅漏电荷密度,从而有低的导通和开关损耗及快的开关速度;同时由于沟槽型MOS器件的沟道是垂直的,故可进一步提高其沟道密度,减小芯片尺寸。沟槽型MOS器件(Trench ...
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