技术编号：16266152
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及自旋电子学，更特别地，涉及一种新颖的具有负微分电阻效应的磁性隧道结，以及包括该磁性隧道结的自旋电子学器件。背景技术磁性隧道结是自旋电子学中最重要的器件之一，它可以广泛应用于磁性传感器，如硬盘读磁头，磁性随机存储单元(MRAM)，自旋振荡器等。由于传统磁性隧道结本身性质的制约，它无法获得半导体器件中的负微分电阻、场效应管调控等重要的性质，因此在应用中必须和半导体器件相结合组成电路来实现完整的功能。与此同时，磁性隧道结本身的制作工艺又无法很好地和半导体工艺相兼容，最终导致器件的实际尺...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。