技术编号：16272769
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶半导体材料生产设备技术领域，具体涉及冷却装置、单晶炉和晶棒的冷却方法。背景技术单晶半导体材料是半导体领域最常使用的材料。生产单晶半导体材料最常用的方法是丘克劳斯基法(Czochralski法，简称CZ法)，行业内又称为拉晶法或提拉法，采用CZ法制备单晶半导体材料的设备称为单晶炉。尽管CZ法能生长质量较好且用途广泛的单晶半导体材料，但是单晶半导体材料的质量仍然需要进一步改进。例如，采用单晶半导体材料制作集成电路时，影响集成电路的线宽进一步降低的主要原因之一是单晶半导体材料内存在的微缺...
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