技术编号:16286177
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明半导体薄膜测试技术,具体涉及一种基于红外热成像法的薄膜热导率分析方法。背景技术功率半导体器件向高功率密度方向发展的趋势受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件自身材料的热性能研究贯穿于器件热设计的整个过程,是评估和指导热管理研发的重要途径。目前,半导体器件的热管理技术已由传统的系统级向封装级和芯片级方向发展,而系统级和封装级热管理由于尺寸的宏观性,其设计自身材料的热特性测试评估技术十...
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