技术编号:16299530
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域,特别涉及一种晶体管结构。背景技术在半导体集成电路的制备工艺中,金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor,简称MOS)场效应晶体管的栅极经过沉积过程及后续高温退火过程后容易生长出N型硅晶粒的尺寸较大。栅极N型多晶硅晶粒尺寸较大,会导致多晶硅表面粗糙度很高,多晶硅侧面的不均匀造成晶体管有效栅极长度可控性降低,小尺寸下有效栅极长度任何微小的变动都会直接影响到MOS场效应晶体管性能。因此,如何减小MOS场效应晶体管的栅极的N型硅晶...
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