技术编号:16315299
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电子材料领域,尤其涉及一种BiFeO3和Bi2WO6复合薄膜的制备方法。背景技术半导体光催化技术是当前解决全球环境污染问题的研究热点之一。Bi2WO6是一类非金属含氧酸盐结构的新型光催化材料,因其较高的催化活性和稳定性而作为近年来半导体光催化材料研究一个重点,而且钨酸盐根等酸根离子具有结构稳定、不易发生光腐蚀等优点。但Bi2WO6具有较大的禁带宽度( 2.70eV) ,只能被紫外光或部分可见光激发,可见光吸收范围为420-470nm,且光生电子空穴对容易发生复合,从而使材料的光催化性...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。