技术编号:16316044
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,尤其涉及一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件。背景技术III-V器件(以AlGaN/GaN HEMT为例)具有禁带宽度大、击穿电压大,工作温度高、截止频率高、能量密度高的优点。因此,它在微波通信领域(5G通信等)以及电力电子领域有非常重要的应用。由于AlGaN/GaN器件的功率密度极高,因此,在器件工作过程中,将产生极大的热量。为了保持器件温度,保证器件的工作效率,现有器件一般采取如下措施:(1)降低器件的热阻:比如减薄衬底。(2)使用热导率高的材料,比如使用...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。