技术编号：16317438
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请主张在2017年6月08日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0071676号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。技术领域本发明概念的示例性实施例涉及一种半导体器件，且更具体来说涉及一种具有金属通孔的半导体器件。背景技术在例如逻辑电路及存储器等一些半导体器件中，已使用例如接触塞等互连结构来连接到后道工序(back end of line，BEOL)的金属线以及源极及漏极。在高度集成的半导体器件中，线宽度及/或节距可减小或者布线可变得相对复杂，且可能...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。