技术编号：16318880
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及极紫外光刻掩模，特别是一种极紫外光刻掩模多层膜相位型缺陷底部形貌检测方法。背景技术光刻是集成电路制造的核心技术。极紫外光刻(EUVL)被看作是制造7nm及更小节点芯片最有前景的光刻技术。极紫外光刻掩模缺陷严重影响芯片生产的良率，并且目前尚无法实现无缺陷掩模的加工制造。因此对掩模缺陷进行检测并根据检测结果对掩模缺陷进行补偿具有重要意义。多层膜缺陷是极紫外光刻掩模中独有的缺陷，根据对掩模反射率影响的不同可分为振幅型缺陷与相位型缺陷，相位型缺陷位于多层膜底部，造成多层膜的变形，在不破坏多层膜...
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