技术编号:16326621
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,涉及一种石墨烯的制备方法,特别是涉及一种层数可控氮掺杂石墨烯的制备方法。背景技术石墨烯是一种由单层sp2杂化C原子组成的二维新型材料。石墨烯材料具有半金属性、线性的能量色散以及极高的载流子迁移率,在室温下可以观察到量子霍尔效应,非零最小量子电导率和Klein隧穿等,使其在场效应晶体管、高频电子器件、透明导电薄膜、功能复合材料、储能材料、传感器等方面有广阔的应用前景。不同层数的石墨烯材料由于其独特的性质可以应用在不同领域。例如,单层石墨烯的带隙为零,其导带和价带在狄拉克点...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。