技术编号:16362667
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种非常适合用在半导体集成电路中的输入电路。背景技术到目前为止,已知在由MOS(metal-oxide-semiconductor)晶体管构成的半导体集成电路中有能够输入具有比电源电压的振幅大的振幅的信号的输入电路。例如,为做到既能够应对电源电压下降的趋势又能够抑制输入信号的传送延迟,在输入电路中,将保持钳位电路连接在电源端子和信号传输晶体管的栅极之间,其中,该保持钳位电路是通过将二极管连接的NMOS晶体管、高电阻元件、二极管连接的PMOS晶体管并联连接而构成的,该输入电路包括:接收输...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。