技术编号:16396084
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池领域,具体涉及背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法。背景技术在太阳能电池中,光生载流子的分离、输运和收集对电池整体性能的提高很关键。减少光生载流子在晶体硅(c-Si)体内和表面的复合对提高载流子的收集效率至关重要,尤其是当硅片的少子扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时,硅片表面的复合对电池特性的影响比体内复合大得多,因此,表面钝化是晶体硅太阳能电池设计和优化的关键。目前,采用氮化硅薄膜作为p型晶体硅电池正面的减反层和钝化层,除了可以饱和表面悬挂键、降低界面态外,氮化硅还...
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