技术编号:16396247
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种薄膜发光二极管及其制造方法。背景技术LED(Light Emitting Diode,发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源,正在被迅速广泛地得到应用,如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。外延片是LED中的主要构成部分,现有的氮化镓基LED外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层。当有电流通过时,N型层的电子和P型层的空穴进入有源层复合,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。