技术编号：16417201
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体光刻用喷嘴领域，具体涉及一种用于实现改善纳米级光刻工艺性能的喷嘴。背景技术集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。具体的是在需要刻蚀的衬底上涂覆光胶层，曝光，再通过涂覆显影液在光胶层之上，把不需要的光胶层反应掉并去除；之后再以光胶层为掩膜，刻蚀出需要的重要尺寸。实际生产中，关键尺寸(Critical Dimension，CD)的大小是否一致将直接影响晶圆的质量，差异过大会降低晶圆的良率...
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