技术编号:16420814
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种三维存储器。背景技术随着技术的发展,半导体工业不断寻求新的方式生产,以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中,例如NAND存储器,增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列,即3D NAND(三维NAND)存储器;随着集成度的越来越高,3D NAND存储器已经从32层发展到64层,甚至更高的层数。一般来说,三维存储器包括由栅极和绝缘层交替堆叠形成的堆叠结构,插塞(Contact)在堆叠结构的台阶区域与栅极电...
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