技术编号：16426737
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请主张在2017年6月20号在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0077667号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。背景技术本发明概念的各种示例性实施例涉及半导体装置及其制造方法。为了增大半导体装置的集成性，已提议使用多栅极(multi-gate)晶体管，所述多栅极晶体管各自包括位于衬底上的鳍型多沟道有源图案(或硅主体)以及位于所述多沟道有源图案上的栅极。由于多栅极晶体管利用三维沟道，因此可对所述多栅极晶体管进行比例缩放。此外，可在不增加多栅极晶体管...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。