技术编号:16453640
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体材料,尤其是涉及一种氮化物发光二极管结构。背景技术发光二极管(LED)以其节能环保、可靠性高等显著特点得到人们广泛的关注和研究。在能源危机和环境危机日益加重的今天,众多国家和地区将LED照明技术列为国家发展战略。经过二十多年的研究和努力,LED外延生长技术、LED芯片制造技术以及LED封装技术均得到长足进步,使得LED被广泛用于显示屏、指示灯、景观照明、汽车灯、通用照明等很多领域。氮化物LED的有源层一般为InGaN/GaN多量子阱垒结构,InGaN为量子阱,GaN为量子垒。...
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