技术编号:16476824
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开一般来讲涉及集成电路电子器件,并且更具体地,涉及适用于驱动嵌入式存储器阵列的横向扩散MOSFET。背景技术金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是通常用于打开和关闭电源的半导体器件。MOSFET包括源极区、漏极区以及在源极区与漏极区之间延伸的主体。主体由薄介电层与栅极电极隔离,使得施加到栅极电极的电压可控制是否在源极区与漏极区之间形成导电沟道。当施加栅极电压并形成导电沟道时,MOSFET使电流能够通过设备(漏极区与源极区之间),并受到导通状态电阻的影响。当不存在导电沟道时,设备阻止电...
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