技术编号:16476831
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请基于日本专利申请2017-123128号(申请日:2017年6月23日)主张优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域实施方式涉及半导体装置及其制造方法。背景技术以往,开发了在半导体芯片的下表面上设有漏极焊盘、在上表面上设有源极焊盘以及栅极焊盘的纵型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)。这样的纵型MOSFET中,提出了为了对半导体芯片内的电场分布进行控制而在半...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。