技术编号：16503810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2016年5月20日提交的美国临时专利申请第62/339,581号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。技术领域本公开内容一般地涉及半导体，更具体地涉及半导体激光器和用于使半导体激光器平坦化的方法。背景技术通常通过在半导体基底表面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)沉积在晶片上外延沉积多层诸如InP、GaAs、GaN的半导体材料以及三元或四元半导体材料来在晶片上实现半导体激光器。随后，对晶片施加多个半导体制造步骤以实现激光光学腔，其包括具有小面(facet)...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。