技术编号:16509113
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的实施例涉及键合的半导体结构及其制造方法。通过改善工艺技术、电路设计、编程算法和制造过程,诸如存储器单元的平面半导体器件被缩放到更小尺寸。然而,随着半导体器件的特征尺寸接近下限,平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。三维(3D)器件架构可以解决例如闪存存储器件的一些平面半导体器件中的密度限制。可以通过堆叠半导体晶圆或管芯并例如使用贯穿硅通孔(TSV)或铜到铜(Cu-Cu)连接而将它们竖直互连来形成3D半导体器件,以使得所得的结构充当单个器件,从而以与常规平面工艺相比减小的功率和更小的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。