技术编号:16509154
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造装置技术领域,具体涉及一种生长碳化硅单晶的籽晶片固定装置及其使用方法。背景技术目前碳化硅单晶生长以物理气相传输法(PVT)为主要生长方式,其难度非常高,必须在2100℃以上与低压环境下将碳化硅粉末直接升华成Si、SiC2、Si2C气体,并沿着温度梯度从高温区传输到较低温度区域的籽晶处沉积结晶。一般籽晶片的固定方式以粘合方式为主,将籽晶片与石墨盖以粘结剂或碳胶等黏合在一起,并升温让粘结剂固化,以防止籽晶片在晶体生长过程中剥离脱落。但是籽晶片与石墨盖的热膨胀系数不同,导致生长面翘...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。