技术编号:16510914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化钽涂层碳材料。背景技术通常,使用在发光二极管制造设备的基座或聚焦环、电极等,直接使用在现有半导体工程使用的碳材料时,在碳素材具有发生异物的问题。考虑到这样的问题,在碳素材的结构物表面涂层SiC或TaC,使用的方法被利用。例如,在韩国申请专利10-1100041号(2011年12月22日申请,发光二极管制造设备用基座的制造方法),记载了在碳素材等母材上涂层TaC或SiC的技术。SiC的耐化学性强,物理强度高,利用可能性高,但SiC的制造需要1800℃以上的高温,且作为载气或燃料气体,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。